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NOR 플래시 메모리 회로 및 데이터의 기입, 판독 및 소거 방법

페이지 정보

작성자 관리자 작성일 조회555회

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특허 출원일자 : 2020.11.06

특허 등록일자 : 2022.06.07

특허 등록번호 : 10-2407689-0000



본 발명은 NOR 플래시 메모리 회로 및 데이터의 기입, 판독 및 소거 방법을 제공하는 것으로, 적어도, NOR 메모리 어레이, 소스 단자 전압 선택 유닛, 웰 전압 선택 유닛, 워드 라인 스트로브 유닛, 비트 라인 스트로브 유닛, 데이터 판독 유닛 및 아날로그 전압 발생 유닛을 포함한다. 데이터를 기입할 경우, 소스를 플로팅시키고 웰 전극을 접지시키며 데이터를 기입할 메모리 셀이 위치된 비트 라인에 제1 순방향 전압을 인가 및 워드 라인에 제2 순방향 전압을 인가한다. 데이터를 판독할 경우, 소스를 접지시키고 웰 전극을 접지시키며 데이터를 판독할 메모리 셀의 워드 라인에 제3 순방향 전압을 인가 및 비트 라인을 스트로빙하여 데이터를 출력한다. 데이터를 소거할 경우, 제5 순방향 전압을 소스 및 웰 전극에 인가하고 데이터를 소거할 메모리 셀이 위치된 비트 라인을 플로팅 및 워드 라인에 역방향 전압을 인가한다. 본 발명은 동작 단계를 개선하여 최적화함으로써 메모리 셀의 유효 채널 길이를 줄일 수 있으므로 메모리 면적을 줄이는 동시에 효율을 향상시키며 전력 소비를 줄일 수 있다.

대표변리사

김순웅

정진국제특허법률사무소 상담문의 02-6677-7612